| 工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用 |
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| 引用本文： | 鲁勇,张文俊,郑期彤,李成,杨之廉. 工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用[J]. 微电子学, 2003, 33(1): 37-40 |
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| 作者姓名： | 鲁勇 张文俊 郑期彤 李成 杨之廉 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法。文章通过应用于MoS器件和双极型器件的工艺与器件设计，介绍工艺综合并验证工艺综合思想；介绍了基于工艺综合开发的MO-SPAD软件系统。在工艺综合系统中，使用响应表面法可加速综合的速度。
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| 关 键 词： | 工艺综合 MOSFET 双极器件 半导体 响应表面法 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)01-0037-04 |
| 修稿时间： | 2002-01-22 |
Process Synthesis and Its Application to MOSFET''''s and Bipolar Devices |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Process synthesis MOSFET Bipolar device Response surface method |
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