| 基于低雷诺数理论的电泳芯片微管道电渗流仿真 |
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| 引用本文： | 田丽,周贤中,刘晓为,王蔚. 基于低雷诺数理论的电泳芯片微管道电渗流仿真[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(2): 404-407 |
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| 作者姓名： | 田丽 周贤中 刘晓为 王蔚 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 电泳芯片作为典型的低雷诺数、低体积流速的微流体器件,电渗流作为非常重要的物理现象,其大小直接影响分离情况和分析结果的精密度和准确度.基于低雷诺数理论建立电泳芯片微管道内电渗流的数学模型,利用有限差分法进行求解.当德拜长度为5nm时,不同Zeta电势下下,微管道内电渗流的流动情况为塞状流,电渗流的最大速度随着Zeta电势的增加而线性增加;当Zeta电势为-100mV,不同德拜长度下,电渗势沿壁面的法线方向呈指数级衰减.在不同的德拜长度下,电渗流的速度分布几乎一样,且当德拜长度改变时,电渗流的最大速度不变.
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| 关 键 词： | 低雷诺数 电泳芯片 电渗流 仿真 |
| 文章编号： | 1007-4252(2008)02-0404-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-20 |
Simulation of the electro-osmosis in the micro-channel on the electrophoresis chip based on the theory of low Reynolds Number |
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| TIAN Li,ZHOU Xian-zhong,LIU Xiao-wei,WANG Wei. Simulation of the electro-osmosis in the micro-channel on the electrophoresis chip based on the theory of low Reynolds Number[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(2): 404-407 |
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| Authors: | TIAN Li ZHOU Xian-zhong LIU Xiao-wei WANG Wei |
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