O^＋2注入Si的折射率谱和弛豫时间

用椭圆偏光谱仪测量了注入能量为５０ｋｅＶ，不同注入剂量的Ｏ＾＋２注入Ｓｉ的折射率谱。计算了单晶硅电极经的驰豫时间，并对结果进行了讨论。