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| 8—12GHz低噪声PHEMT单片集成电路 | |
| 引用本文： | 丁奎章,于玲莉.8—12GHz低噪声PHEMT单片集成电路[J].半导体情报,1998,35(3):18-21. |
| 作者姓名： | 丁奎章 于玲莉 |
| 摘 要： | 描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８￣１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８￣１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣２．２０ｄＢ；ｆ＝８￣１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣１．５ｄＢ。 |
| 关 键 词： | 低噪声 T形栅 PHEMT 单片机集成忡 |
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