| 980nm垂直腔面发射激光器的外延生长 |
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| 引用本文： | 崔明,韩军,邓军,李建军,邢艳辉,陈翔,朱启发.980nm垂直腔面发射激光器的外延生长[J].半导体光电,2015,36(1):38-41. |
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| 作者姓名： | 崔明 韩军 邓军 李建军 邢艳辉 陈翔 朱启发 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61204011);国家自然科学基金项目(61107026);北京市教委基金项目(KM201210005004);北京市自然科学基金项目(4112006) |
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| 摘 要： | 模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980 nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14 μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387 W/A,室温直流电流为22.8 mA时,输出光功率为5 mW.
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| 关 键 词： | VCSEL 量子阱 金属有机物化学气相沉积 氧化限制型 |
| 收稿时间： | 2014/1/20 0:00:00 |
Epitaxial Growth of 980 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser |
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| CUI Ming;HAN Jun;DENG Jun;LI Jianjun;XING Yanhui;CHEN Xiang;ZHU Qifa.Epitaxial Growth of 980 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser[J].Semiconductor Optoelectronics,2015,36(1):38-41. |
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| Authors: | CUI Ming;HAN Jun;DENG Jun;LI Jianjun;XING Yanhui;CHEN Xiang;ZHU Qifa |
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| Affiliation: | CUI Ming;HAN Jun;DENG Jun;LI Jianjun;XING Yanhui;CHEN Xiang;ZHU Qifa;Key Lab.of Optoelectr.Technology of the Ministry of Education,Beijing University of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VCSEL quantum well MOCVD oxide restricted device |
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