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| 电弧离子镀/磁控溅射复合真空退火制备Ti2AlC涂层 | |
| 作者姓名： | 胡小刚 董闯 杨红艳 张瑞谦 |
| 作者单位： | 三束材料改性教育部重点实验室,大连理工大学材料科学与工程学院,辽宁 大连 116024;反应堆燃料及材料重点实验室,中国核动力研究设计院,四川 成都 610200 |
| 摘 要： | 采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20μm)的Ti–Al–C涂层。经过不同温度(550、650、750和850°C)和时间(1、2和3 h)的真空退火后发现,至少在650°C才能获得Ti_2AlC结构,更高的温度会加速Ti_2AlC的生成。高温沉积对制备Ti_2AlC相涂层而言是必备的。 |
| 关 键 词： | 碳化铝钛 金属陶瓷 电弧离子镀 磁控溅射 真空退火 温度 微观结构 |
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