| SiC MOSFET短路检测与保护研究综述 |
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| 引用本文： | 吴海富,张建忠,赵进,张雅倩.SiC MOSFET短路检测与保护研究综述[J].电工技术学报,2019,34(21). |
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| 作者姓名： | 吴海富 张建忠 赵进 张雅倩 |
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| 作者单位： | 江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学) 南京 210096;江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学) 南京 210096;江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学) 南京 210096;江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学) 南京 210096 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省智能电网技术与装备重点实验室课题资助项目 |
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| 摘 要： | 随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重视。本文首先对SiC MOSFET的短路类型进行讨论,给出不同短路类型下的主要电路波形;然后本文对近年来SiC MOSFET短路检测与保护方法进行概述,详细介绍去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法以及基于罗氏线圈的短路检测法的原理,归纳总结各种检测方案的优缺点;最后提出一种降栅压短路保护电路,实现了SiC MOSFET在短路情况下的两级快速保护。
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| 关 键 词： | SiC MOSFET 短路保护 去饱和检测 降栅压 |
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