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基于SiP技术的多片DDR3高速动态存储器设计
引用本文:张小蝶,邱颖霞,许聪,邢正伟.基于SiP技术的多片DDR3高速动态存储器设计[J].电子与封装,2022(1).
作者姓名:张小蝶  邱颖霞  许聪  邢正伟
作者单位:安徽芯纪元科技有限公司;中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘    要:基于系统级封装(System in Package,SiP)技术,结合自研自主可控DSP处理器“魂芯”II-A和多片DDR3颗粒,详细介绍了一款高速动态存储控制一体化SiP设备的设计方案和仿真验证分析结果。重点介绍了此款SiP的电路拓扑设计、版图设计,并从拓扑结构波形仿真、DDR3时序裕量计算、与板级实现方案对比三方面对其PCB后仿进行了分析和验证,仿真结果符合规范要求,证明了所采用的Fly-By拓扑适用于CPU与多片DDR3颗粒所组成的一体化SiP设备,且SiP设备性能优于板级实现方案。

关 键 词:DDR3  高速电路  SIP  信号完整性  Sigrity仿真

Design of Multi-Chip DDR3 High-Speed Dynamic Memory Based on SiP Technology
ZHANG Xiaodie,QIU Yingxia,XU Cong,XING Zhengwei.Design of Multi-Chip DDR3 High-Speed Dynamic Memory Based on SiP Technology[J].Electronics & Packaging,2022(1).
Authors:ZHANG Xiaodie  QIU Yingxia  XU Cong  XING Zhengwei
Affiliation:(Anhui Siliepoch Technology Co.,Ltd.,Hefei 230000,China;The 38th Institute of CETC,Hefei 230088,China)
Abstract:
Keywords:DDR3  high-speed circuit  SiP  signal integrity  Sigrity simulation
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