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| 精细的几何图形改进微波双极晶体管的性能 | |
| 引用本文： | 苏涛.精细的几何图形改进微波双极晶体管的性能[J].微纳电子技术,1977(2). |
| 作者姓名： | 苏涛 |
| 摘 要： | 休利特—派卡公司采用精细的几何图形制出了亚微米发射极条,制出了频率高、增益大而又保持噪声低的 HXTR6101器件,其性能是在4千兆赫下,增益为9.0～9.5分贝,典型噪声系数为2.3～2.7分贝。休利特—派卡公司的这种技术,包括离子注入、局部氧化、计算机辅助设计以及自对准工艺。采用制造精细图形的关键工艺—离子注入和自对准技术,在二氧化硅层上同时制做发射极和基极接触窗口。自对准技术可消除最苛刻的对准和硅双极晶体管中的二个主要噪声源:基极扩展电阻中的热噪声和跨越发射极和基极结注入电流中的散粒噪声。作者宣称,要提高这种器件的增益,必须把集电极—基极结电容和集电极—基极键合区 |
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