| 一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA |
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| 引用本文： | 张海军, 朱樟明, 杨银堂, 张宝君,.一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA[J].电子器件,2006,29(2):344-347. |
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| 作者姓名： | 张海军 朱樟明 杨银堂 张宝君 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;国家部级科研项目 |
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| 摘 要： | 基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V CMOS跨导运算放大器(OTA),在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益.在±0.4 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz,相位裕度为53°,功耗为125.4 μW,输出电压范围为-0.337～0.370 V.
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| 关 键 词： | 衬底驱动 超低压 跨导运算放大器 CMOS 低功耗 |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）02-0344-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-13 |
| 修稿时间： | 2005-07-13 |
A 0.8 V High Performance CMOS OTA Based on Bulk-Driven Technique |
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| ZHANG Hai-jun,ZHU Zhang-ming,YANG Yin-tang,ZHANG.A 0.8 V High Performance CMOS OTA Based on Bulk-Driven Technique[J].Journal of Electron Devices,2006,29(2):344-347. |
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| Authors: | ZHANG Hai-jun ZHU Zhang-ming YANG Yin-tang ZHANG |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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