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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
纳米硅薄膜结构分析
作者姓名:
何宇亮
殷晨钟
程光煦
王路春
李齐
作者单位:
南京大学物理系固体微结构实验室 南京210008(何宇亮,程光煦,王路春),江南大学电子工程系 无锡214063(殷晨钟),南京大学物理系固体微结构实验室 南京210008(李齐)
摘 要:
在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.
关 键 词:
薄膜 纳米硅
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