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MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜
引用本文:韩辉,王民,王弘,王卓,许效红.MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜[J].压电与声光,2004,26(5):408-410.
作者姓名:韩辉  王民  王弘  王卓  许效红
作者单位:1. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100
2. 山东大学,化学院,济南,250100
摘    要:利用 MOD法在电阻率为 5~ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2 薄膜具有良好的铁电、介电和绝缘性能。在± 5 V的范围内 ,电容 -电压 (C- V)曲线记忆窗口宽度为 3.6 V;在室温 10 0 0 k Hz下 ,其介电常数为 4 5 ,介电损耗为 0 .0 4 ;在 3V电压下 ,薄膜的漏电流为 3× 10 - 8A。

关 键 词:MOD  电容-电压(C-V)曲线  旋转甩膜  铁电薄膜
文章编号:1004-2474(2004)05-0408-03
修稿时间:2003年1月28日

Preparation of Sm0.85Bi3.15Ti3O12 Thin Films on N-Si (100) by Metalorganic Decomposition Method
HAN Hui,WANG Min,WANG Hong,WANG Zhuo,XU Xiao-hong.Preparation of Sm0.85Bi3.15Ti3O12 Thin Films on N-Si (100) by Metalorganic Decomposition Method[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2004,26(5):408-410.
Authors:HAN Hui  WANG Min  WANG Hong  WANG Zhuo  XU Xiao-hong
Affiliation:HAN Hui~1,WANG Min~1,WANG Hong~1,WANG Zhuo~1,XU Xiao-hong~2
Abstract:
Keywords:MOD  C-V curve  spin-coating  ferroelectric thin films
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