| GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 |
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| 引用本文： | 黄大定,刘超,李建平,高斐,孙殿照,朱世荣,孔梅影. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]. 固体电子学研究与进展, 2003, 23(2): 142-144 |
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| 作者姓名： | 黄大定 刘超 李建平 高斐 孙殿照 朱世荣 孔梅影 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si HBT外延材料
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| 关 键 词： | 气源分子束外延 异质结双极晶体管 原位掺杂 锗硅合金材料 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)02-142-03 |
| 修稿时间： | 2001-09-15 |
In Situ Doping Control Technique of SiGe/Si Materials by GSMBE |
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| HUANG Dading LIU Chao LI Jianping GAO Fei SUN Dianzhao ZHU Shirong KONG Meiying. In Situ Doping Control Technique of SiGe/Si Materials by GSMBE[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2003, 23(2): 142-144 |
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| Authors: | HUANG Dading LIU Chao LI Jianping GAO Fei SUN Dianzhao ZHU Shirong KONG Meiying |
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| Abstract: | Controlling states and activities of the doping gases at a specified temperature,an in situ doping control technique of SiGe/Si materials by GSMBE with knowledge property right of our own is proposed.In the materials the boron impurity is confined successfully in SiGe alloy base and the N type Si doping concentration by PH 3 and the growing rate of Si layer are increased efficiently.A SiGe/Si HBT epitaxial material with ideal distribution of N and P type impurities is grown. |
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| Keywords: | GSMBE HBT in situ doping SiGe |
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