| 原位氧等离子体处理对金刚石薄膜电阻率的影响 |
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| 引用本文： | 王兵,冉均国,苟立,季金苟.原位氧等离子体处理对金刚石薄膜电阻率的影响[J].四川大学学报(工程科学版),2003,35(3):58-61. |
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| 作者姓名： | 王兵 冉均国 苟立 季金苟 |
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| 作者单位： | 四川大学,无机材料系,四川,成都,610065 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10275046) |
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| 摘 要： | 采用原位氧等离子体刻蚀法对微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜进行了提高电阻率的后处理，暗电流Ⅰ—Ⅴ特性测试结果表明，优化的工艺可使生成膜的电阻率提高4个数量级以上；SEN和XPS分析证实刻蚀处理减少了薄膜表层的石墨和C—H含量，并且未使膜厚产生明显的改变。原位氧等离子体处理是一种简便有效的提高金刚石薄膜电阻率的工艺方法。
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| 关 键 词： | 电阻率 金刚石膜 原位等离子体处理 |
| 文章编号： | 1009-3087(2003)03-0058-04 |
| 修稿时间： | 2002年8月30日 |
Influence of In-situ Oxygen Plasma Processing on the Resistivity of Diamond Thin Film |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistivity diamond film in-situ plasma treatment |
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