| 纳米胶体二氧化硅改性聚酰亚胺薄膜的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 贾延江,安源程,张燕,职欣心,张秀敏,刘金刚,杨洋. 纳米胶体二氧化硅改性聚酰亚胺薄膜的制备及性能研究[J]. 绝缘材料, 2021, 54(11): 100-107. DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2021.11.014 |
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| 作者姓名： | 贾延江 安源程 张燕 职欣心 张秀敏 刘金刚 杨洋 |
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| 作者单位： | 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京 100083;北京交通大学 电气工程学院,北京 100044;中国商飞复合材料中心,上海 201324 |
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| 摘 要： | 首先,通过缩聚法制备了基于均苯四甲酸二酐(PMDA)与4,4′-二氨基二苯醚(ODA)单体的聚酰胺酸(PAA),在聚合过程中加入不同质量分数的胶体SiO2/N,N-二甲基乙酰胺(DMAc),制得PAA/SiO2杂化胶液.然后将杂化胶液在洁净干燥箱中于室温～350℃进行亚胺化,制得了PI/SiO2复合薄膜.对PI/SiO2复合薄膜进行衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)、动态机械分析(DMA)和热机械分析(TMA)测试,并采用阻抗分析法测试SiO2的引入对复合薄膜介电性能的影响.结果表明:成功制得了预期结构的复合薄膜,SiO2在PI基体中分布较为均匀.SiO2的引入提高了复合薄膜的耐热性和热尺寸稳定性,SiO2含量为25％的PI-25薄膜5％失重温度(T5％)和750℃时的残余质量分数分别为611℃与73％,分别较PI-0薄膜(未添加SiO2)提高了14.7℃和9.2％.在103～106 Hz频率范围内,复合薄膜表现出较为稳定的介电常数(Dk)与介质损耗因数(Df).纳米SiO2的引入略微提高了复合薄膜的Dk值,PI-25薄膜在1 MHz时的Dk值为3.58,较PI-0薄膜略有上升(Dk为3.20).
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| 关 键 词： | 聚酰亚胺薄膜 胶体二氧化硅 介电性能 热性能 相容性 |
Preparation and Properties of Polyimide Films Modified with Colloidal Silica Fillers |
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| JIA Yanjiang,AN Yuancheng,ZHANG Yan,ZHI Xinxin,ZHANG Xiumin,LIU Jingang,YANG Yang. Preparation and Properties of Polyimide Films Modified with Colloidal Silica Fillers[J]. Insulating Materials, 2021, 54(11): 100-107. DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2021.11.014 |
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| Authors: | JIA Yanjiang AN Yuancheng ZHANG Yan ZHI Xinxin ZHANG Xiumin LIU Jingang YANG Yang |
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