中国科学院国家重点实验室制造出1.33mQD激光器

中国科学院国家重点实验室的一个研究小组制造出1.33μm GaAs衬底量子点(QD)激光器。中国科学院称,该激光器结构含InAsQDs,通过自组织形式,激光器可在室温下连续波工作。GaAs基QD激光器的开关速度比InP激光器的快,功耗也比它的小。四年前,该研究小组首次制造出分子束外延生长的发射波长为0.9—1.1μm的InAs基QD激光器。2002年其发射波长扩大到1.3μm。此后,他们进一步提高发射波长,QD密度达到4×1010cm-2。上述研究人员准备对这种激光器进行改造以投入实际应用,并正在研究其它可采用的材料,包括GaInAs/GaAsSb,用这些材料可制造出…