首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

大尺寸LGT、LGN晶体生长及性能研究
引用本文:石自彬,李和新,龙勇,付昌禄,胡少勤. 大尺寸LGT、LGN晶体生长及性能研究[J]. 压电与声光, 2015, 37(6): 957-959
作者姓名:石自彬  李和新  龙勇  付昌禄  胡少勤
作者单位:(中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆 400060)
基金项目:总装预研基金资助项目(513120605);总装技术推动基金资助项目(1407XM0800)
摘    要:报道了La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14)(LGT)和La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14)(LGN)压电晶体的生长及其性能研究。采用提拉法成功生长了?80mm×90mm的晶体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并测试了电阻率随温度的变化。测试结果表明晶体存在良好的压电性能,在高温传感器领域具有巨大的应用价值。

关 键 词:La3Ga5.5Ta0.5O14  La3Ga5.5Nb0.5O14  提拉法  压电性能  电阻率

Growth and Characterization of LGT and LGN Crystals with Large Size
SHI Zibin,LI Hexin,LONG Yong,FU Changlu and HU Shaoqin. Growth and Characterization of LGT and LGN Crystals with Large Size[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2015, 37(6): 957-959
Authors:SHI Zibin  LI Hexin  LONG Yong  FU Changlu  HU Shaoqin
Affiliation:(26th Institute of China Electronic Technology Group Corporation,Chongqing 400060,China)
Abstract:
Keywords:
点击此处可从《压电与声光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《压电与声光》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号