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| 硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型 | |
| 引用本文： | 周少华,熊琦,李锐敏.硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型[J].硅谷,2008(24):8-8. |
| 作者姓名： | 周少华 熊琦 李锐敏 |
| 作者单位： | 湖南工程职业技术学院,湖南,长沙,410015 |
| 基金项目： | 湖南省自然科学基金资助项目(批准号：06JJ2085); 湖南省教育厅科学研究基金资助项目(批准号：07D025) |
| 摘 要： | 在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,得到的模拟结果与实验结果能够很好的吻合. |
| 关 键 词： | SiGe MOSFET器件 阈值电压 解析模型 |
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