| 2000年国际GaAs制造技术会议简介 |
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| 引用本文： | 陈堂胜. 2000年国际GaAs制造技术会议简介[J]. 固体电子学研究与进展, 2000, 20(3): 339-341 |
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| 作者姓名： | 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,210016 |
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| 摘 要： | 20 0 0年国际 Ga As制造技术会议 ( Ga As MANTECH)于 5月 1日至 4日在美国首都华盛顿召开 ,来自世界各地的约 30 0位代表参加了本届年会。代表人数较 1 999年增加了 5 0 % ,这反映了化合物半导体正越来越引起人们的关注。近些年来 ,由于通信技术的革命和信息高速公路的出现 ,化合物半导体呈现出日新月异的发展。在人类进入新千年之际 ,化合物半导体制造技术也将以新的姿态进入到新世纪。 4条新的 1 5 0 mm圆片生产线正在建设 ,异质结器件及其单片电路正进入批量生产。一些制造厂 ,投片量已达到每周 1 0 0 0片 ,预计今年化合物半导体…
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| 关 键 词： | GaAs 制造技术 国际会议 |
| 修稿时间： | 2000-07-06 |
A Brief Introducation to the 2000 International GaAs Manufacturing Technology |
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| Chen Tangsheng. A Brief Introducation to the 2000 International GaAs Manufacturing Technology[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2000, 20(3): 339-341 |
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| Authors: | Chen Tangsheng |
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| Affiliation: | Chen Tangsheng( Nanjing Electronic Devices Institute, 210016, CHN) |
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