新型非均匀有源层掺杂分布改善功率GaAs MESFET的线性度

<正> 在功率GaAs MESFET及其放大器迅速发展的今天,人们已不再满足于仅利用均匀的有源层掺杂分布模型对器件的基本特性进行分析,以及利用近似均匀分布的GaAs材料来制作功率GaAs MESFET。研究非均匀有源层掺杂分布对GaAs MESFET性能的影响已有一些报道。人们对正斜率型、负斜率型、高斯型的有源层分布进行了比较,并采用分析模型对高斯型分布器件的直流I—V特性作了分析。结果表明:改善器件跨导g_m的均匀性,能够提高GaAs MESFET大信号应用时的输出信号线性度。对于低噪声器件,均匀的跨导能使器件获得更低的噪声。因此,研究有源层掺杂分布对于改善功率GaAs MESFET的线性问题意义十分重大。