| SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响 |
| |
| 引用本文： | 孙智林,孙伟锋,吴建辉. SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响[J]. 半导体学报, 2005, 26(3): 536-540 |
| |
| 作者姓名： | 孙智林 孙伟锋 吴建辉 |
| |
| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京 210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京 210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京 210096 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 对SOI LDMOS进行了建模，得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式．以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem4对器件进行了模拟，得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线，这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义．
|
| 关 键 词： | LDMOS RESURF SOI 硅膜厚度 LDMOS RESURF 参数 影响 Parameters Thickness 意义 工艺生产 设计 结果 变化曲线 击穿电压 浓度 漂移区 最优 模拟 Medici 专业软件 关系式 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0536-05 |
| 修稿时间： | 2004-03-03 |
Effect of SOI Thickness on Parameters of RESURF LDMOS |
| |
| Sun Zhilin,Sun Weifeng,Wu Jianhui. Effect of SOI Thickness on Parameters of RESURF LDMOS[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 536-540 |
| |
| Authors: | Sun Zhilin Sun Weifeng Wu Jianhui |
| |
| Abstract: | The SOI LDMOS is modeled.The correlations between several leading parameters and the SOI thickness are presented.The optimum impurity concentration and the maximum breakdown voltage are obtained by numerical analysis using Medici and Tsuprem 4.All these results are important for the design and fabrication of the device. |
| |
| Keywords: | LDMOS RESURF SOI |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
