| 预极化对PST薄膜介电可调性的影响 |
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| 引用本文： | 郑赞,杜丕一,赵冉,翁文剑,韩高荣. 预极化对PST薄膜介电可调性的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(Z2): 188-191 |
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| 作者姓名： | 郑赞 杜丕一 赵冉 翁文剑 韩高荣 |
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| 作者单位： | 硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程系,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50372057),,国家自然科学基金重点项目(50332030) |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能.在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性大小与外加偏压施加顺序的关系.结果表明,该薄膜呈现单一的钙钛矿相结构.发现了在预先施加一个相对较高的预极化电场,薄膜在零电场下的介电常数得到了提高.预极化能更多地激发出介电薄膜中偶极子数目,增大了薄膜在零偏压处的介电常数,从而提高了薄膜的介电可调性,在不同的测试电压下可分别从提高3%到提高45%不等,测试电压越低,表现出来的这种提高就越大.
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| 关 键 词： | Zn掺杂PST薄膜 预极化 介电可调 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)S2-188-04 |
| 修稿时间： | 2007-11-22 |
The Effect of Pre-Polarization on Dielectric Tunability of PST Thin Film |
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| Zheng Zan,Du Piyi,Zhao Ran,Weng Wenjian,Han Gaorong. The Effect of Pre-Polarization on Dielectric Tunability of PST Thin Film[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(Z2): 188-191 |
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| Authors: | Zheng Zan Du Piyi Zhao Ran Weng Wenjian Han Gaorong |
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