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InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器
作者姓名:张权生  石志文  杜云  颜学进  赵军
作者单位:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
摘    要:一种电流控制型二端及三端MQW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果.

关 键 词:双稳激光器  InGaAs  磷化铟  多量子阱
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