40毫微秒的144位n-沟道MOS大规模集成存贮器

简介——描述MOS随机存取存贮器的特性和分析。研究出一种适用于规定的制造工艺,靠选择最佳的单元尺寸使周期时间最小的最佳化技术。这些考虑已应用于设计采用n-沟道器件的高速144位MOS大规模集成存贮器。该存贮器的写周期为40毫微秒,由于不理想的驱动脉冲波形,此写周期稍微比预计值大些。