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| 高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 | |
| 引用本文： | 杨国文,肖建伟,徐遵图,郑婉华,曾一平,徐俊英,张敬明,陈良惠.高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用[J].半导体学报,1995,16(8):627-631. |
| 作者姓名： | 杨国文 肖建伟 徐遵图 郑婉华 曾一平 徐俊英 张敬明 陈良惠 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性．研制了高质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱超晶格材料，并应用于量子阱激光器材料的研制，获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料． |
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