| 宽带GaAs MESFET开关模型 |
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| 引用本文： | 陈新宇,徐全胜,陈继义,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉. 宽带GaAs MESFET开关模型[J]. 固体电子学研究与进展, 2003, 23(2): 189-192 |
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| 作者姓名： | 陈新宇 徐全胜 陈继义 陈效建 郝西萍 李拂晓 蒋幼泉 |
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| 作者单位： | 1. 南京电子器件研究所,南京,210016
2. 总装备部情报研究所,北京,100036 |
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| 摘 要： | 提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 ,器件测试值与模型模拟值吻合较好
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| 关 键 词： | 开关 模型 宽带 金属半导体场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)02-189-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-08 |
A Switching Model of GaAs MESFET for Broadband Application |
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| CHEN Xinyu XU Quansheng CHEN Jiyi CHEN Xiaojian HAO Xiping LI Fuxiao JIANG Youquan. A Switching Model of GaAs MESFET for Broadband Application[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2003, 23(2): 189-192 |
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| Authors: | CHEN Xinyu XU Quansheng CHEN Jiyi CHEN Xiaojian HAO Xiping LI Fuxiao JIANG Youquan |
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| Affiliation: | CHEN Xinyu 1 XU Quansheng 2 CHEN Jiyi 1 CHEN Xiaojian 1 HAO Xiping 1 LI Fuxiao 1 JIANG Youquan 1 |
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| Abstract: | This paper discusses a switching model of GaAs MESFET. It is suitable for MMIC design with broad frequency characteristic. The measured results are in agreement with the simulated data in the frequency range of 0.1～20 GHz. |
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| Keywords: | switch model broadband MESFET EEACC: 2560J |
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