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| 微测辐射热计阵列结构的制备 | |
| 作者姓名： | 王利霞 |
| 作者单位： | 南京邮电大学理学院,江苏南京210046 |
| 基金项目： | 南京邮电大学校科研基金（NY207029）资助项目;致谢：此研究工作主要在中科院电子所传感技术国家重点实验室完成,对电子所提供的仪器设备和技术支持表示谢意,同时感谢李建平研究员、何秀丽博士和高晓光博士的的指导和帮助! |
| 摘 要： | 为了研究和优化二氧化钒（VO2）微测辐射热计的制备工艺,采用微电子机械系统（MEMS）体硅工艺制备了VO2微测辐射热计,经过研究和改进制备工艺,制得的微测辐射热计结构稳定,成品率高;经测试及计算,其响应率可达34.3kV/W,探测率为1.2×10^8cm.Hz1/2/W,响应时间约为65.3ms。此器件性能达到国内外同类器件水平。 |
| 关 键 词： | 二氧化钒 微测辐射热计 MEMS |
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