用着色浸蚀法观察碲镉汞晶体的组分均匀性 |
| |
作者姓名: | 王淑荣 高占 王作新 许淑琴 |
| |
作者单位: | 华北光电所,华北光电所,华北光电所,华北光电所 |
| |
摘 要: | 本文报导电子探针和x射线衍射对碲镉汞晶体着色浸蚀层成分和结构的分析结果。验证了着色浸蚀法显示镉含量分布的正确性。应用该方法对碲溶剂法制备晶体的横向和纵向组份分布均匀性进行了观察。显示出长晶过程中的动态图景。晶绽头部固-液界面呈弯月形,晶绽中部横向分布相对均匀,纵向分布有一段相对均匀区。但其中存在很窄的分凝带(贫镉),这将影响到器件性能的重复性。该方法可用作对碲镉汞材料中均匀区进行预选。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|