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| 采用O.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计 | |
| 引用本文： | 胡伟,陈金福,张振勇,杨莲兴.采用O.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计[J].半导体技术,2002,27(12):48-50. |
| 作者姓名： | 胡伟 陈金福 张振勇 杨莲兴 |
| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433 |
| 摘 要： | 介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理,并且着重分析了一种高线性度的实现方法.电路采用了0.18um CMOS RF模型,通过仿真,得出了令人满意的结果. |
| 关 键 词： | 降频混频电路 高线性度 0.18μm CMOS 射频电路 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)12-0048-03 |
A highly linear down-conversion mixer with 0.18μm CMOS RF model |
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