| 用模型参数优化法改进带隙基准的温度 |
| |
| 引用本文： | 李晓宁,刘文平.用模型参数优化法改进带隙基准的温度[J].微电子学与计算机,2008,25(4):205-208. |
| |
| 作者姓名： | 李晓宁 刘文平 |
| |
| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054 |
| |
| 摘 要： | 以GP模型理论和工艺数据为基础,提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法.以典型的带隙基准电路为例,经Hspice仿真分析表明,在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改善.
|
| 关 键 词： | GP模型 XTB XTI 带隙基准 温度特性 |
| 文章编号： | 1000-7180(2008)04-0205-04 |
| 修稿时间： | 2007年5月24日 |
Improvement of Bandgap Reference Temperature Characteristic by Optimizing Model Parameters |
| |
| LI Xiao-ning,LIU Wen-ping.Improvement of Bandgap Reference Temperature Characteristic by Optimizing Model Parameters[J].Microelectronics & Computer,2008,25(4):205-208. |
| |
| Authors: | LI Xiao-ning LIU Wen-ping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GP model XTB XTI bandgap reference temperature characteristic |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
