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直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及电学性质研究
引用本文:李丽,方亮,廖克俊,刘高斌,杨丰帆,付光宗. 直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及电学性质研究[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(Z1): 86-89
作者姓名:李丽  方亮  廖克俊  刘高斌  杨丰帆  付光宗
作者单位:重庆大学应用物理系,重庆,400044
基金项目:重庆大学研究生创新基金(No.200506Y1B0240131);重庆市科技攻关项目(No.CSTC2005AA4006-A6);重庆大学数理学院青年基金资助
摘    要:本文采用直流反应磁控溅射方法在平面玻璃上制备了ZnO薄膜.所得的ZnO薄膜利用X光衍射,扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析和表征.实验结果表明,ZnO薄膜的结构和电学性质与合成条件密切相关.并测试了ZnO薄膜的温差电动势,得出薄膜中的载流子浓度越大,温差电动势率越小;ZnO薄膜厚度越大,温差电动势率越小.本文对其结果进行了理论分析.

关 键 词:ZnO薄膜  磁控溅射  温差电动势率  载流子浓度
文章编号:1672-7126(2005)增-086-04
修稿时间:2004-12-01

Structural and Electrical Properties of ZnO Thin Film by DC Magnetron Sputtering
Li Li,Fang Liang,Liao Kejun,Liu Gaobin,Yang Fengfan,Fu Guangzong. Structural and Electrical Properties of ZnO Thin Film by DC Magnetron Sputtering[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(Z1): 86-89
Authors:Li Li  Fang Liang  Liao Kejun  Liu Gaobin  Yang Fengfan  Fu Guangzong
Abstract:
Keywords:
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