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Cu/Ag掺杂TiO_2包覆SiO_2纳米复合材料的结构与光催化性能
引用本文:官仁发,肖亚,刘启明,刘绍军.Cu/Ag掺杂TiO_2包覆SiO_2纳米复合材料的结构与光催化性能[J].粉末冶金材料科学与工程,2018(1).
作者姓名:官仁发  肖亚  刘启明  刘绍军
作者单位:中南大学粉末冶金研究院;湖南省文物考古研究所;
摘    要:采用溶胶-凝胶法制备包覆层厚度约为12 nm的高分散性TiO_2包覆SiO_2(TCS)复合粉末。在此基础上,合成光催化效率显著提高的Cu和Ag掺杂TCS光催化剂。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外-可见分光光度计和光催化降解甲基橙测试等,系统研究包覆和掺杂对TiO_2结构及光催化活性的影响规律和相关作用机制。结果表明,TiO_2与SiO_2的界面可能以Ti—O—Si化学键联结,并通过影响TiO_2的结晶过程而抑制TiO_2晶粒的长大。通过控制实验条件得到了性能优异的Cu_2O-TiO_2-SiO_2复合粉末,Cu掺杂的作用机制可理解为Cu_2O半导体对TiO_2的修饰,光催化活性的提高与氧空位和Cu_2O有关。相比较,Ag掺杂对TiO_2的禁带宽度影响不大,但吸光强度有较大提高。当Ag掺杂量为1.0%时,光催化降解甲基橙效率达到95.7%。

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