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IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术
引用本文:王华彪,陈亚宁.IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术[J].电源技术应用,2006,9(5):43-45.
作者姓名:王华彪  陈亚宁
作者单位:北京交通大学,北京落木源电子技术有限公司 北京 100044,北京 100011
摘    要:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。

关 键 词:MOSFET  IGBT  隔离驱动  光电耦合器  脉冲变压器
收稿时间:02 28 2006 12:00AM

Isolate Drive Technique of IGBT and MOSFET
WANG Hua-biao, CHEN Ya-ning.Isolate Drive Technique of IGBT and MOSFET[J].Power Supply Technologles and Applications,2006,9(5):43-45.
Authors:WANG Hua-biao  CHEN Ya-ning
Affiliation:1.Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China;2.Beijing Luomuyuan Electronics Technology Co. Ltd., Beijing 100011, China
Abstract:
Keywords:
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