| 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 |
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| 引用本文： | 金智,程伟,刘新宇,徐安怀,齐鸣.截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管[J].半导体学报,2008,29(10):1898-1901. |
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| 作者姓名： | 金智 程伟 刘新宇 徐安怀 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划 |
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| 摘 要： | 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管（HBT) . 发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺，实现了亚微米的InP基HBT. 发射极宽度的减小有效提高了频率特性，发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz. 发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺，有效减小了结面积，提高了最大振荡频率. Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2. 据我们所知，电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的，Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的. 这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义.
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| 关 键 词： | lnP 异质结构双极晶体管 平坦化 高频 |
| 修稿时间： | 5/19/2008 8:53:01 PM |
A Submicron InGaAs/InP Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 238GHz |
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| Jin Zhi,Cheng Wei,Liu Xinyu,Xu Anhuai and Qi Ming.A Submicron InGaAs/InP Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 238GHz[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(10):1898-1901. |
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| Authors: | Jin Zhi Cheng Wei Liu Xinyu Xu Anhuai and Qi Ming |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InP heterojunction bipolar transistor planarization high frequency |
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