| 利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构 |
| |
| 引用本文： | 陈海峰,李春增,何会新,刘忠范. 利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构[J]. 电子显微学报, 1999, 18(1): 58-60 |
| |
| 作者姓名： | 陈海峰 李春增 何会新 刘忠范 |
| |
| 作者单位： | 北京大学化学与分子工程学院,智能材料研究中心,北京,100871 |
| |
| 基金项目： | 国家攀登计划B,国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在掺杂ｎ型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形，最小的纳米结构约１５ｎｍ，并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备的纳米结构的一些规律。
|
| 关 键 词： | 纳米结构 氧化 |
Localized oxidation of GaAs using conductive atomic force microscope |
| |
| CHEN Hai-feng,LI Chun-zeng,HE Hui-xin,LIU Zhong-fan. Localized oxidation of GaAs using conductive atomic force microscope[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 1999, 18(1): 58-60 |
| |
| Authors: | CHEN Hai-feng LI Chun-zeng HE Hui-xin LIU Zhong-fan |
| |
| Abstract: | Nanometer sized dots, lines and pattern have been successfully created onto Si doped n + GaAs(100) and Zn doped p GaAs(100) based on electric field induced local oxidation. The smallest dot is ca.15nm.The rules of nanooxidation on GaAs are also investigated. |
| |
| Keywords: | AFM GaAs |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
