| BNST薄膜电容的制备及电性能研究 |
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| 引用本文： | 莫尚军,张继华,杨传仁,陈宏伟,余为国. BNST薄膜电容的制备及电性能研究[J]. 压电与声光, 2011, 33(4) |
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| 作者姓名： | 莫尚军 张继华 杨传仁 陈宏伟 余为国 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 基金项目： | 广东省教育部产学研结合重点基金资助项目(No.2007A090302035) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5 h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10-6/℃,30 V偏压下漏电流密度为3.28×10-8A/cm2。
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| 关 键 词： | BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST) 微结构 介电性能 介温系数 漏电流密度 |
Study on Fabrication and Properties of BaO-Nd_2O_3-Sm_2O_3-TiO_2(BNTS) Thin Films Capacitor |
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| MO Shangjun,ZHANG Jihua,YANG Chuanren,CHEN Hongwei,YU Weiguo. Study on Fabrication and Properties of BaO-Nd_2O_3-Sm_2O_3-TiO_2(BNTS) Thin Films Capacitor[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2011, 33(4) |
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| Authors: | MO Shangjun ZHANG Jihua YANG Chuanren CHEN Hongwei YU Weiguo |
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| Affiliation: | MO Shangjun,ZHANG Jihua,YANG Chuanren,CHEN Hongwei,YU Weiguo(State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BNST microstructure dielectric properties temperature coefficient of dielectric constant drain current density |
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