| 用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究 |
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| 引用本文： | 廖勇明,董立军,韩敬东,陈大鹏,叶甜春.用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究[J].电子工业专用设备,2005,34(1):28-30. |
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| 作者姓名： | 廖勇明 董立军 韩敬东 陈大鹏 叶甜春 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院,四川,成都,610064;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅.
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| 关 键 词： | MEMS SiH2Cl2 多晶硅薄膜 XRD 薄膜应力 |
| 文章编号： | 1004-4507(2005)01-0028-03 |
| 修稿时间： | 2004年12月10 |
The Study of Polysilicon Film Deposited with Dichlorosilane for MEMS |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS SiH2Cl2 XRD |
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