| 反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究 |
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| 引用本文： | 汪洪海,郑启光.反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究[J].四川激光,1998,19(6):28-31,46. |
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| 作者姓名： | 汪洪海 郑启光 |
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| 作者单位： | 华中理工大学激光技术国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝薄膜的过程，讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所有制备薄膜结构性能的影响，并对薄膜的化学稳定性作了比较详细的研究，结果表明，当薄膜中存在有未反应的单质铝时，薄膜的化学稳定性较差。比较而言具有高取向性，择优生长的致密ＡＩＮ微晶膜的化学稳定性优于结构相对疏松的非晶膜。
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| 关 键 词： | AIN薄膜 化学稳定性 反应式 激光溅射淀积 |
Chemical stability of AIN thin films prepared by reactively pulsed laser sputtering deposition |
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| Wang Honghai,Zheng Qiguang,Wei Xueqin,Qiu Junlin.Chemical stability of AIN thin films prepared by reactively pulsed laser sputtering deposition[J].Laser Journal,1998,19(6):28-31,46. |
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| Authors: | Wang Honghai Zheng Qiguang Wei Xueqin Qiu Junlin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AIN thin films chemical stability reactively pulsed laser sputtering deposition |
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