硅体费米势在( 300~600 K) 宽温区温度特性的研究 |
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作者姓名: | 杨国勇 宋安飞 冯耀兰 |
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作者单位: | 东南大学微电子中心, |
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基金项目: | 国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 ) |
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摘 要: | 本文首先简要分析了MOSFET阈值电压随温度的变化率,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素--体费米势的温度特性,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型,并进行了模拟验证。
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关 键 词: | 体费米势 温度特性 硅 宽温区 |
文章编号: | 1005-9490(2001)04-0314-04 |
修稿时间: | 2001-05-09 |
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