| 界面SiO2层对SiC/Al电子封装材料热膨胀系数的影响 |
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| 引用本文： | 王涛.界面SiO2层对SiC/Al电子封装材料热膨胀系数的影响[J].硅酸盐通报,2009,28(1):71-75. |
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| 作者姓名： | 王涛 |
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| 作者单位： | 西安科技大学材料系,西安,710054 |
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| 摘 要： | 用无压浸渗的方法制备了高体积分数的SiC/Al复合材料.通过改变SiC预制样品的烧结工艺来改变SiC和Al的界面状况,分析了SiC表面SiO2层的变化对SiC/Al复合材料的热膨胀系数的影响.用无压浸渗的方法可得到常温下热膨胀系数为(5.68～7.12)×10-6/K的SiC/Al复合材料.颗粒大小一定时,复合材料的热膨胀系数随着SiO2界面层的厚度增加而减小.当界面SiO2层厚度从45 nm增加到2100 nm时,常温下热膨胀系数从7.12×10-6/K减小到5.68×10-6/K.
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| 关 键 词： | 碳化硅/铝复合材料 界面 热膨胀系数 |
Influence of Interface on the Coefficient of Thermal Expansion of SiC/Al Electronic Packaging Composite |
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| WANG Tao.Influence of Interface on the Coefficient of Thermal Expansion of SiC/Al Electronic Packaging Composite[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2009,28(1):71-75. |
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| Authors: | WANG Tao |
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| Affiliation: | Department of Material;Xi'an University of Science and Technology;Xi'an 710054;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide/aluminum composite interface coefficient of thermal expansion |
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