| SiC边界层陶瓷电容器的研制 |
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| 引用本文： | 秦丹丹,乔建房,邵刚,王海龙,许红亮,卢红霞,张锐.SiC边界层陶瓷电容器的研制[J].稀有金属材料与工程,2007,36(A01):442-444. |
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| 作者姓名： | 秦丹丹 乔建房 邵刚 王海龙 许红亮 卢红霞 张锐 |
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| 作者单位： | 郑州大学,河南郑州450002 |
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| 摘 要： | 选用α—SiC（4-10μm）作为主晶相，SiO2-CuO作为晶界绝缘层，以两步包裹法制备SiC—SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后，在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析。结果发现：1300℃为最佳烧结温度，该温度下最高介电常数（ε）为713100；电容器具有正的介温系数，介电常数在50℃附近急剧增大，而介质损耗（tanδ）在该温度点急剧降低，60℃之后两者均趋于稳定，这可能与界面处产生的空间电荷极化有关；电容器具有强烈的频率色散效应。
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| 关 键 词： | SiC 边界层电容器 介电常数 介质损耗 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）S1-0442-03 |
| 修稿时间： | 2007-02-16 |
Study on SiC-Based Grain Boundary Barrier Layer Capacitor |
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| Qin Dandan, Qiao Jianfang, Shao Gang, Wang Hailong, Xu Hongliang, Lu Hongxia, Zhang Rui.Study on SiC-Based Grain Boundary Barrier Layer Capacitor[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(A01):442-444. |
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| Authors: | Qin Dandan Qiao Jianfang Shao Gang Wang Hailong Xu Hongliang Lu Hongxia Zhang Rui |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450002, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC GBBLC dielectric constant dielectric loss |
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