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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅
作者姓名:
缪育博
张静媛
王圩
作者单位:
中国科学院半导体研究所 北京100083(缪育博,张静媛),中国科学院半导体研究所 北京100083(王圩)
摘 要:
采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.
关 键 词:
DFB激光器
InGaAsP/InP
衍射光栅
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