同位素载体沾污校正解释方法的研究及应用

在注入剖面五参数测井中同位素沾污现象普遍存在,现有的放射性同位素测井资料沾污校正解释通过对以往大量经验总结,形成了重要的经验公式和方法,但缺乏理论上的支持。本文从同位素测井解释原理出发并分析了沾污对解释的影响,对沾污的校正方法进行研究并建立了沾污的校正模型,编写了相应的校正解释软件,从校正同位素载体浓度方面完善了同位素吸水剖面的解释。