| ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质 |
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| 引用本文： | 黄焱球,刘梅冬,李楚容,曾亦可,刘少波,夏冬林.ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质[J].压电与声光,2001,23(5):384-386. |
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| 作者姓名： | 黄焱球 刘梅冬 李楚容 曾亦可 刘少波 夏冬林 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系 |
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| 摘 要： | 利用新型Sol-Gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO陶瓷薄膜，先驱体溶液由Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2、Bi(NO3)3及Sb2O3的溶胶中制成，薄膜由甩胶法制备，并由400℃预烧、750℃退火。制得的陶瓷薄膜ZnO结晶良好，并存在β－Bi2O3、Zn2Sb3Bi3O14及Zn7Sb2O12相，表现出良好的低压压敏性质，厚约为3μm为ZnO陶瓷薄膜非线性系数α为6.2、压敏电压为5V，漏电流为8μA。
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| 关 键 词： | 陶瓷薄膜 低压压敏电阻 性能特征 氧化锌 |
| 文章编号： | 1004-2474(2001)05-0384-03 |
| 修稿时间： | 2001年3月27日 |
Preparation of ZnO Ceramic Thin Films for Low-voltage Varistors |
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| HUANG Yan qiu,LIU Mei dong,LI Chu rong,ZENG Yi ke,LIU Shao bo,XIA Dong lin.Preparation of ZnO Ceramic Thin Films for Low-voltage Varistors[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2001,23(5):384-386. |
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| Authors: | HUANG Yan qiu LIU Mei dong LI Chu rong ZENG Yi ke LIU Shao bo XIA Dong lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | (Bi Sb) doped ZnO thin film low voltage varistor novel Sol Ggel process properties |
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