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TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻
摘 要:
P通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP采用SO-8封装,可容许比其他SO8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。Si7633DP具有3.3mΩ(在10V时)及5.5mΩ(在4.5V时)的超低导通电阻。30VSi7135DP的导通电阻为3.9mΩ(在10V时)和6.2mΩ(在4.5V时)。这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。
关 键 词:
功率MOSFET
低导通电阻
SO-8封装
封装器件
笔记本电脑
功率损耗
切换开关
负载切换
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