首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

不同微空气桥结构的InP/InGaAs HBT
引用本文:于进勇,刘新宇,夏洋.不同微空气桥结构的InP/InGaAs HBT[J].半导体学报,2009,30(11):114001-3.
作者姓名:于进勇  刘新宇  夏洋
摘    要:文章报道了几种具有不同微空气桥结构的InP HBT。由于微空气桥减小了寄生,发射极尺寸为2×12.5 um2 的InP/InGaAs HBT的截止频率和最大震荡频率都接近160GHz。论文将具有不同微空气桥结构的器件高频特性与传统InP HBT进行对比。对比表明,微空气结构明显降低了寄生,且双指微空气桥结构可以更有效的提高器件的射频特性。试验结果同时表明,微空气桥结构对于提高小尺寸发射极InP HBT的高频特性更有潜力。

关 键 词:磷化铟  异质结双极型晶体管  微空气桥
收稿时间:3/27/2009 5:23:48 PM
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号