不同微空气桥结构的InP/InGaAs HBT |
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引用本文: | 于进勇,刘新宇,夏洋.不同微空气桥结构的InP/InGaAs HBT[J].半导体学报,2009,30(11):114001-3. |
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作者姓名: | 于进勇 刘新宇 夏洋 |
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摘 要: | 文章报道了几种具有不同微空气桥结构的InP HBT。由于微空气桥减小了寄生,发射极尺寸为2×12.5 um2 的InP/InGaAs HBT的截止频率和最大震荡频率都接近160GHz。论文将具有不同微空气桥结构的器件高频特性与传统InP HBT进行对比。对比表明,微空气结构明显降低了寄生,且双指微空气桥结构可以更有效的提高器件的射频特性。试验结果同时表明,微空气桥结构对于提高小尺寸发射极InP HBT的高频特性更有潜力。
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关 键 词: | 磷化铟 异质结双极型晶体管 微空气桥 |
收稿时间: | 3/27/2009 5:23:48 PM |
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