| 静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究 |
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| 引用本文： | 贺朝会,耿斌,王燕萍,杨海亮,张正选,陈晓华,李国政,路秀琴,符长波,赵葵,郭继宇,张新. 静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究[J]. 核电子学与探测技术, 2002, 22(2): 155-157,142 |
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| 作者姓名： | 贺朝会 耿斌 王燕萍 杨海亮 张正选 陈晓华 李国政 路秀琴 符长波 赵葵 郭继宇 张新 |
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| 作者单位： | 1. 西北核技术研究所,陕西西安69信箱13分箱,710024
2. 中国原子能研究院,北京,102413 |
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| 摘 要： | 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面
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| 关 键 词： | 静态随机存取存储器 重离子加速器 单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源 实验研究 |
| 文章编号： | 0258-0934(2002)02-0155-03 |
Experimental study on heavy ions single event upset effects in static random access memories |
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| HE Chao hui ,GENG Bin ,WANG Yan ping ,YANG Hai liang ,ZHANG Zheng xuan ,CHEN Xiao hua ,LI Guo zheng ,LU Xiu qin ,FU Chang bo ,ZHAO Kui ,GUO Ji yu ,ZHANG Xin. Experimental study on heavy ions single event upset effects in static random access memories[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2002, 22(2): 155-157,142 |
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| Authors: | HE Chao hui GENG Bin WANG Yan ping YANG Hai liang ZHANG Zheng xuan CHEN Xiao hua LI Guo zheng LU Xiu qin FU Chang bo ZHAO Kui GUO Ji yu ZHANG Xin |
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| Affiliation: | 1Northwest Institute of Nuclear Technolog |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM heavy ion accelerator 252 Cf source single event upset effects |
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