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| 高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化 | |
| 引用本文： | 胡旭宏,张敏,俞波,黄焕章.高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化[J].电子学报,1998,26(2):15-19. |
| 作者姓名： | 胡旭宏 张敏 俞波 黄焕章 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 |
| 摘 要： | 本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。 |
| 关 键 词： | I／O电路 CMOS 集成电路 制造工艺 |
高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化 |
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| Keywords: | |
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