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| CdTe单晶的电学性能 | |
| 作者姓名： | 景玉梅 林革 黄锡珉 |
| 摘 要： | 用升华法生长了CdTe单晶,其生长方向为〈111〉。解理得到(110)面的晶片,在Cd和In的饱和气氛下热处理72小时,其热处理温度分别于500,600.700,750℃。用In球作为欧姆电报,用Vander Pauw法测量了电学参数。测试结果如下: |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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