| 100 nm超浅结制作工艺研究 |
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| 引用本文： | 王学毅,徐岚,唐绍根.100 nm超浅结制作工艺研究[J].微电子学,2007,37(2):177-179,184. |
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| 作者姓名： | 王学毅 徐岚 唐绍根 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。
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| 关 键 词： | 超浅结 快速热退火 离子注入 沟道效应 瞬态增强扩散效应 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）02-0177-03 |
| 修稿时间： | 2006-09-222006-12-27 |
A Study on 100 nm Ultra-Shallow Junction Process |
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| WANG Xue-yi,XU Lan,TANG Shao-gen.A Study on 100 nm Ultra-Shallow Junction Process[J].Microelectronics,2007,37(2):177-179,184. |
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| Authors: | WANG Xue-yi XU Lan TANG Shao-gen |
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| Affiliation: | Sichuan Institute of Solid State Circuits, Chongqing 400060,P. R. China |
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| Abstract: | An N-type ultra-shallow junction is obtained by using low energy implantation and rapid thermal annealing(RTA).The junction depth is less than 100 nm with high doping concentration.Furthermore,channeling and transient enhancement diffusion(TED) effects,which are very important in the process,are also discussed. |
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| Keywords: | Ultra-shallow junction Rapid thermal annealing Ion implantation Channeling effect Transient enhancement diffusion |
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